Simone电磁炉中的IGBT，H20R1202和H20R1203的区别是什么？
的有关信息介绍如下：电磁炉中的IGBT，H20R1202和H20R1203的区别是设计序号不同。
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管。型号的前一组数字表示该IGBT的额定工作电流（A），如上述型号20表示额定工作电流为20A；后一组数字的前3位×10表示该IGBT的最大关断电压（V），如上述120表示最大关断电压为1200V；最后一位数字是设计序号。
IGBT 的静态特性主要有伏安特性、转移特性和开关特性。
IGBT 的伏安特性是指以栅源电压Ugs 为参变量时，漏极电流与栅极电压之间的关系曲线。输出漏极电流比受栅源电压Ugs 的控制，Ugs 越高， Id 越大。它与GTR 的输出特性相似.也可分为饱和区1 、放大区2 和击穿特性3 部分。在截止状态下的IGBT ，正向电压由J2 结承担，反向电压由J1结承担。如果无N+缓冲区，则正反向阻断电压可以做到同样水平，加入N+缓冲区后，反向关断电压只能达到几十伏水平，因此限制了IGBT 的某些应用范围。
IGBT 的转移特性是指输出漏极电流Id 与栅源电压Ugs 之间的关系曲线。它与MOSFET 的转移特性相同，当栅源电压小于开启电压Ugs(th) 时，IGBT 处于关断状态。在IGBT 导通后的大部分漏极电流范围内， Id 与Ugs呈线性关系。最高栅源电压受最大漏极电流限制，其最佳值一般取为15V左右。
